Equipe 2: Microélectronique et microsystème

Description scientifique du programme de recherche de l'équipe

Notre programme présente un vrai défi pour nous, en tant que chercheurs, afin de proposer des solutions qui soient innovantes. Nos travaux sont et seront valorisés par la publication des résultats obtenus dans des conférences nationales et internationales. Cette équipe est composée en partie par des membres qui sont des doctorants. Notre objectif est de mieux connaitre le comportement des systèmes électroniques et électriques ,y compris dans les fonctionnements dégradés de leurs éléments. Notre démarche se focalise sur deux volets essentiels à savoir le composant et le système.

Le programme de l'équipe réalisé concerne les thèmes suivants:

• Fiabilité des dispositifs MOSFET et IGBT soumis à des contraintes externes ;
• étude au phénomène de la dégradation NBTI dans les transistors VDMOSFET;
• Impact d'un champ magnétique faible (B inferieur à 10mT) lors d'une instabilité de température de polarisation négative (NBTI) sur un transistor MOS à double diffusion (VDMOSFET);
• Analyse qualitative et quantitative de la sûreté de fonctionnement des systèmes électroniques et électriques ;
• Evaluation de la fiabilité de l’ensemble convertisseur-composant soumis à des contraintes dans son environnement réel de fonctionnement;
• Etude de la fiabilité des microsystèmes (MEMS);
• Fiabilité et maintenance des systèmes dédiés aux énergies renouvelables, application aux systèmes photovoltaïques;
• Applications des réseaux de neurones artificiels.

Les membres des équipes :